在选用高速igbt时需要特别注意以下几点。
  （1）绝缘材料的选取
  由于不同绝缘材料的热导率有很大的差别，其价格也相差很大，因此，导致不同厂家生产的同一外形结构的模块，其实际允许通过的电流容量存在很大的差异。
  （2）芯片的选取
  为了保证模块达到额定电流的容量，首先要保证芯片的通态压降；其次要保证芯片的电流密度，即芯片的直径。芯片密封在外壳内，直径是无法看到的，只有通过测试通态压降等参数才能了解芯片的性能。
 igbt模块选型时比较关键的特性有栅极-发射级门槛电压vce（th）、栅极-发射极漏电流ices、开通时间ton、开通延迟时间td(on)、上升时间tr、关断耗散功率poff、关断耗散能量eoff、关断时间toff、关断延迟时间td（off）、下降时间tf、结-壳热阻rthjc和结-壳瞬态热抗阻zthjc。测量出这些参数，就能详细的推导出igbt模块的动态特性和静态特性。下面我们就来介绍igbt模块特性的测量方法和电路原理。
igbt模块特性的测量方法和电路原理。
栅极-发射极漏电流iges的测量方法和基本电路
在规定条件下（环境或管壳温度、集电极-发射极电压），测量 栅极-发射极漏电流。
测量方法:连接集电极电极和发射极的端子。电阻r的值控制在vce/（100.icesmax）。跨接在r两端的电压测量仪应具有较高的灵敏度。而且输入电阻大于100r，栅极-发射极漏电流为ices=v/r，测量可用正的或负的栅极-发射极电压。
将栅极-发射极电压设置在规定值，测量电压v并用ices=v/r计算栅极-发射极漏电流值。

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