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二氧化硅具有硬度高、耐磨性好、绝热性好、光透过率高、抗侵蚀能力强以及良好的介电性质。通过对各种制备方法、制备工艺的开发和不同组分配比对气相二氧化硅的影响研究,制备具有优良性能的透明气相二氧化硅的工作已经取得了很大进展。二氧化硅在诸多领域得到了很好的应用,如用于电子器件和集成器件、光学二氧化硅器件等相关器件中。利用纳米二氧化硅的多孔性质可应用于过滤二氧化硅、二氧化硅反应和相关的吸收剂以及分离技术、分子工程和生物工程等,从而在光催化、微电子和透明绝热等领域具有很好的发展前景。本文将对气相二氧化硅的制备、性能及其应用研究进行了综述。
abstract:silica films has good hardness, optical, dielectric properties and abrasion resistance, corrosion properties, such as in optics, microelectronics etc widely, and is currently world wide attention of functional materials. discusses the relevant silica films preparation methods, properties and corresponding application prospect
keywords: silica, film, preparation, application, method
二氧化硅的制备
针对不同的用途和要求,很多sio2二氧化硅的制备方法得到了发展与应用,主要有化学气相淀积,物理气相淀积,热氧化法,溶胶凝胶法和液相沉积法等。
气相二氧化硅化学气相淀积(cvd)
1969年,科莱特(collett)首次利用光化学反应淀积了si3n4二氧化硅,从此开辟了光化学气相淀积法在微电子方面的应用。
化学气相淀积是利用化学反应的方式,在反应室内,将反应物(通常是气体)生成固态生成物,并淀积在硅片表面是的一种二氧化硅淀积技术。因为它涉及化学反应,所以又称cvd(chemical vapour deposition)。
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