可控硅模块具有体积小、结构相对简单、功能强等特点，是比较常用的半导体器件之一。可控硅模块有多种分类方法： （1）按关断、导通及控制方式分类：可控硅按其关断、导通及控制方式可分为普通可控硅、双向可控硅、逆导可控硅、门极关断可控硅（gto），北京艾赛斯可控硅模块、btg可控硅、温控可控硅和光控可控硅等多种。 （2）按引脚和极性分类：可控硅按其引脚和极性可分为二极可控硅、三极可控硅和四极可控硅。 （3）按封装形式分类：可控硅按其封装形式可分为金属封装可控硅、塑封可控硅和陶瓷封装可控硅三种类型。其中，金属封装可控硅又分为螺栓形，北京艾赛斯可控硅模块、平板形、圆壳形等多种；塑封可控硅又分为带散热片型和不带散热片型两种。 （4）按电流容量分类：可控硅按电流容量可分为大功率可控硅、**率可控硅和小功率可控硅三种，北京艾赛斯可控硅模块。通常，大功率可控硅多采用金属壳封装，而中、小功率可控硅则多采用塑封或陶瓷封装。 （5）按关断速度分类：可控硅按其关断速度可分为普通可控硅和高频（快速）可控硅。
鉴别可控硅模块三个极的方法很简单，根据p-n结的原理，只要用万用表测量一下三个极之间的电阻值就可以。很多客户由于缺乏这方面的相关知识，在鉴别可控硅模块三个极时会存在很多问题，以下详细介绍： 阳极与阴极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上，阳极和控制极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上(它们之间有两个p-n结，而且方向相反，因此阳极和控制极正反向都不通)。 控制极与阴极之间是一个p-n结，因此它的正向电阻大约在几欧-几百欧的范围，反向电阻比正向电阻要大。可是控制极二极管特性是不太理想的，反向不是完全呈阻断状态的，可以有比较大的电流通过，因此，有时测得控制极反向电阻比较小，并不能说明控制极特性不好。另外，在测量控制极正反向电阻时，万用表应放在r*10或r*1挡，防止电压过高控制极反向击穿。 若测得元件阴阳极正反向已短路，或阳极与控制极短路，或控制极与阴极反向短路，或控制极与阴极断路，说明元件已损坏。
可控硅模块和其它半导体器件一样，其有体积小、效率高、稳定性好、工作可靠等优点。它的出现，使半导体技术从弱电领域进入了强电领域，成为工业、农业、交通运输、军事科研以至商业、民用电器等方面争相采用的元件。 智能可控硅模块在各行业的应用广 泛，如;电解、电镀、调温、调光、电焊、蓄电池充放电、直流电机调速、交流电机软起动、稳压电源装置、励磁等。据有关单位提供的信息来看，智能可控硅模块主要有以下特点： 1、采用进口玻璃钝化方芯片，模块导通压降小，功耗低，节能效果显着。 2、控制触发电路采用进口贴片元器件组装，全部元器件进行高温老化筛选，可靠性高。 3、采用陶瓷覆铜工艺，焊接工艺独特，绝缘强度高，导热性能好，电流承载能力大，热循环负载次数是国标的进10倍。 4、控制触发电路，主电路，导热底板之间相互绝缘，介电强度≥2500ⅴac 导热底板不带电，安全可靠。