晶体式多级串联的方式，需要解决环流问题，而且效率低，在工业生产过程中，消耗太大；功率晶体模组变频方式反应慢，功率有限，工作电压低，耐压在600v左右，输出采用pam滤波方式（为单方波加低次滤波），输出波形失真较大。这两种方式制作的电源产品功率依旧不能满足日益增长的需求，所以大功率的负载需要变频测试时，多采用电机后拖动发电机的方式（m+g）来满足。
电机后拖动发电机的方式（m+g）在使用过程中，存在磨损，以及效率转换问题。后来参考美国技术，采用scr来做逆变器，该方式制作的电源，功率大，能满足客户使用，比较好的用于取代电机后拖动发电机的方式（m+g），但是该系列的产品有一个较大的缺点，机器在转换的过程中，噪音非常大，达到70db<1m
随着半导体技术的发展，在80年代末，富士生产出了*一代的igbt，该电子器件的特性集成了gtr及mosfet的优点，开关速度快，通流能力强，故很快就被应用到逆变领域。随着实力强大的三菱、西门康、英飞凌等厂家在igbt领域的加入，使得igbt的发展速度日新月异，更新换代的速度加快，igbt的开关速度及通流能力得到进一步的加强，这样，就使得大功率的变频电源的制作得以实现。
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